BSC100N03MSG

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON

内部编号

生产厂商

数量:8431

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新加坡
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规格书
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	44A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1700pF @ 15V
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Power - Max	30W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
包装	8TDSON
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	30 V
最大连续漏极电流	12 A
RDS -于	10@10V mOhm
最大门源电压	±16 V
典型导通延迟时间	8.5 ns
典型上升时间	4.8 ns
典型关闭延迟时间	8 ns
典型下降时间	5.4 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel

型号	厂家	产品描述
BSC100N03MSGATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP
BSC100N03MSGXT	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP
BSC100N03LS G	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES
BSC100N03LSGATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
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